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    羅姆半導(dǎo)體:多元技術(shù)協(xié)同,為AI服務(wù)器高壓節(jié)能提供“芯”方案

    已有79次閱讀2025-12-15標(biāo)簽:

    作為寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的兩大標(biāo)桿材料,氮化鎵(GaN)與碳化硅(SiC)正以差異化優(yōu)勢引領(lǐng)技術(shù)革新:前者憑借高頻高效特性在消費電子快充市場快速滲透,后者依托耐高壓高溫能力成為新能源汽車功率器件的核心選擇。這兩種第三代半導(dǎo)體材料各展所長——GaN通過高開關(guān)頻率與低損耗特性,在高頻應(yīng)用場景中表現(xiàn)卓越;SiC則以高電壓耐受與寬溫域穩(wěn)定性,在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域占據(jù)優(yōu)勢地位。

    隨著人工智能算力需求呈指數(shù)級增長,數(shù)據(jù)中心對電源系統(tǒng)(PSU)提出更高功率密度、更高能效比、更強可靠性的嚴(yán)苛要求。這一趨勢正推動GaNSiC突破原有應(yīng)用邊界,共同開拓出一個極具潛力的增量市場——AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源解決方案,為第三代半導(dǎo)體材料開辟了全新的戰(zhàn)略級應(yīng)用場景。

    1127日,羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司深圳分公司技術(shù)中心總經(jīng)理水原徳健在媒體交流會上,深入分享了羅姆對AI服務(wù)器市場的獨到見解以及未來在該領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局。

     

    羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司深圳分公司技術(shù)中心總經(jīng)理水原徳健

     

    AI服務(wù)器市場:耗電激增催生變革需求

    隨著AI服務(wù)器快速發(fā)展,耗電量呈激增態(tài)勢,全球數(shù)據(jù)中心正面臨前所未有的電力挑戰(zhàn)。據(jù)行業(yè)權(quán)威機構(gòu)預(yù)測,到2030年,AI耗電量將激增至約1000TWh,占全球發(fā)電量的1/10,電力短缺將成社會問題。

     

    水原徳健以網(wǎng)絡(luò)搜索為例介紹道,生成式AI消耗大量計算資源,相較于傳統(tǒng)引擎搜索,電力消耗增加約10倍。面對如此巨大的電力消耗,僅靠太陽能、風(fēng)能、核能等源頭增加發(fā)電量并非長久之計,且無法無限制發(fā)電,電力保障成為AI規(guī)模化應(yīng)用的關(guān)鍵瓶頸。因此,在發(fā)電量一定的情況下,降低AI設(shè)備能耗成為關(guān)鍵,半導(dǎo)體公司肩負(fù)重任。

    AI服務(wù)器離不開AIGPU,英偉達(dá)在GPU領(lǐng)域占據(jù)重要地位。其2003年推出的H100系列功耗為700瓦,今年推出的B300功耗升至1.4千瓦,而預(yù)計2027年推出的VR200系列功耗更將達(dá)到3.6千瓦。英偉達(dá)GPU呈現(xiàn)功率提升和開發(fā)速度加快兩大趨勢,功率從700瓦到3600瓦倍增,開發(fā)周期從兩年縮短至一年。

    英偉達(dá)GPU高能量消耗帶來諸多問題。當(dāng)前系統(tǒng)多為48伏到54伏低電壓系統(tǒng),高功率GPU需增大輸出電流,導(dǎo)致電纜內(nèi)部損耗增加、發(fā)熱量上升。以1兆瓦AI服務(wù)器為例,約需45噸銅線,不僅成本增加,數(shù)據(jù)中心重量和空間需求也增大,散熱和可拓展性面臨挑戰(zhàn),且運營成本中電力消耗占比高達(dá)60% - 65%

     

    高壓系統(tǒng):AI服務(wù)器發(fā)展的新方向

    為改善這些問題,AI服務(wù)器通過高壓系統(tǒng)應(yīng)對,相同功率下,電壓升高電流降低,可節(jié)省銅材。水原徳健表示,目前市場有兩個方向,一個是Open Compute Project主導(dǎo)的正負(fù)400伏系統(tǒng),由微軟、谷歌、Meta聯(lián)盟推動;另一個是英偉達(dá)的800伏系統(tǒng)。中國市場上400伏和800伏系統(tǒng)均在開發(fā),甚至有探討升級至1500伏系統(tǒng)的可能。

     

    800伏系統(tǒng)優(yōu)勢明顯,可擴展性強,現(xiàn)有系統(tǒng)最多做到100千瓦,800DC可超1兆瓦;與54伏系統(tǒng)相比,端到端效率提高5%,實現(xiàn)節(jié)能;骨干網(wǎng)電流降低,節(jié)省銅材并減少熱損耗。目前臺達(dá)等企業(yè)均在研發(fā)800伏系統(tǒng)。

    HVDC800伏)為例,AI服務(wù)器從電網(wǎng)配電到框架,框架分電源單元和IT單元,中間有備用單元如BBUCBU,當(dāng)前母線電壓為48伏到54伏系統(tǒng)。下一代AI高壓系統(tǒng)中,電網(wǎng)基本不變,電源改變,備份單元置于電源內(nèi),母線電壓升至HVDC(正負(fù)400伏、800伏甚至1500伏)。

    水原徳健指出,高壓是未來趨勢,提升AI服務(wù)器功效需從電源側(cè)提高AC/DCDC/DC效率,以及在服務(wù)器機架提高功率密度。這對半導(dǎo)體廠商提出開發(fā)高效高功率密度功率半導(dǎo)體器件、聯(lián)合各方推進(jìn)高壓技術(shù)、實現(xiàn)產(chǎn)品量產(chǎn)全球化QCDS體系三大要求。

     

    羅姆優(yōu)勢:多領(lǐng)域布局與合作共贏

    羅姆在全球半導(dǎo)體領(lǐng)域優(yōu)勢顯著,是全球屈指可數(shù)的同時擁有功率和模擬技術(shù)的廠商。功率器件方面,涵蓋硅、碳化硅和氮化鎵三種材料。硅產(chǎn)品主要有IGBTMOSFET,根據(jù)工作頻率和功率應(yīng)用于不同場景,羅姆可提供配套驅(qū)動器及AC/DCDC/DC產(chǎn)品,提供整套方案。

     

    羅姆與眾多電源設(shè)備廠商建立深度戰(zhàn)略伙伴關(guān)系,其EcoGaN™產(chǎn)品被臺達(dá)電子Innergie品牌的45W輸出AC適配器“C4 Duo”采用,雙方已締結(jié)電源系統(tǒng)用功率元器件戰(zhàn)略合作關(guān)系。此外,羅姆的EcoGaN™被村田制作所Murata Power SolutionsAI服務(wù)器電源采用,科索3.5kW輸出AC-DC電源單元“HFA/HCA系列”采用羅姆的EcoSiC™。

     

    羅姆解決方案:針對800伏與熱插拔精準(zhǔn)發(fā)力

    AI服務(wù)器中,電源側(cè)和服務(wù)器側(cè)對產(chǎn)品要求不同。電源側(cè)主要用硅或碳化硅產(chǎn)品,羅姆可提供全系列碳化硅產(chǎn)品;服務(wù)器側(cè)DC/DC分為一次側(cè)和二次側(cè),一次側(cè)羅姆提供碳化硅和氮化鎵產(chǎn)品,二次側(cè)提供多種硅產(chǎn)品。

    IT機架電源解決方案為例,一次側(cè)應(yīng)用碳化硅1200伏產(chǎn)品,封裝有貼片和插件兩種,導(dǎo)通電阻低。如Ruby機型效率達(dá)98%及以上,用碳化硅可沖擊99%效率。二次側(cè)DC/DC為低壓產(chǎn)品,要求開關(guān)損耗小、導(dǎo)通電阻低,羅姆開發(fā)的產(chǎn)品使功率密度達(dá)129W/in³。針對更高功率密度需求,氮化鎵可應(yīng)用于高頻場景,如從100千赫茲提升到500千赫茲,硅和碳化硅難以勝任,氮化鎵可使元器件及外圍電感電容變小,功率密度提升至246W/in³

     

     

    羅姆在芯片和封裝領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新。水原徳健表示,羅姆在芯片方面,SiC芯片已到第4代,第5代樣品已開始出貨,預(yù)計明年將投入批量生產(chǎn),兩年后推出第6代,隨后推出第7代,研發(fā)周期縮短。第5代相比第4代導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗降低30%,更節(jié)能。封裝方面,針對電源現(xiàn)有封裝,推出TO-247兩個合并封裝的DOT-247和小型模塊HSDIP20,滿足不同設(shè)計需求。羅姆還與英飛凌合作,如英飛凌采用羅姆原創(chuàng)的DOT-247封裝,羅姆生產(chǎn)英飛凌的D - DPAK系列,實現(xiàn)互利共贏。

     

    熱插拔是AI服務(wù)器重要需求,運轉(zhuǎn)中拔出槽位會產(chǎn)生瞬間浪涌電流,可能擊穿設(shè)備。熱插拔系統(tǒng)包含MOS、電流檢測電阻和控制器。羅姆MOSFET產(chǎn)品“RY7P250BM”的SOA(安全工作領(lǐng)域)范圍寬,便于客戶設(shè)計和使用;導(dǎo)通電阻低,可承載大電流,在AI市場應(yīng)用良好,還被全球知名云平臺企業(yè)認(rèn)證為推薦器件。此外,羅姆還在開發(fā)熱插板控制IC,其電阻產(chǎn)品也具有優(yōu)勢,如貼片產(chǎn)品尺寸多樣,SOA范圍寬、導(dǎo)通電阻低。

     

    總結(jié)

    作為全球屈指可數(shù)的同時擁有SiCGaNSiLSI業(yè)務(wù)的半導(dǎo)體制造商,羅姆通過與全球頭部企業(yè)建立的合作伙伴關(guān)系,致力于為AI服務(wù)器市場貢獻(xiàn)力量。

    “羅姆可以提供的產(chǎn)品不僅包括以高功率效率和高功率密度助力降低功耗的SiCGaN產(chǎn)品,還包括適用于HSCSi MOSFET、隔離型柵極驅(qū)動器和電源IC等外圍元器件,可滿足最新AI服務(wù)器的多樣化需求。”水原徳健表示,羅姆期望憑借功率元器件×模擬技術(shù)助力滿足AI服務(wù)器的高電壓趨勢與節(jié)能化需求,為實現(xiàn)應(yīng)用AI技術(shù)的豐富多彩的未來社會貢獻(xiàn)力量!

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