富士電機一直致力于產品的技術革新以滿足電力電子裝置對于功率半導體模塊的小型化，低損耗及高可靠性應用的需求。2021年富士電機推出了基于第七代IGBT模塊技術的新一代工業RC-IGBT（Reverse-ConductingIGBT)模塊產品系列。RC-IGBT將反向并聯連接的IGBT芯片和FWD芯片的功能集成到單個芯片上，工作時的等效散熱面積更大，可以大大降低結到殼熱阻。通過X系列芯片技術的低損耗和基于RC-IGBT的散熱性能的提高，逆變器的輸出功率密度得以進一步提升一個等級。

RC-IGBT

富士電機提供利用世界最先進技術的IGBT模塊，用于環保、節能和自動化領域。同時，特別專注于可以為碳中和做出貢獻的電動汽車、風力發電和太陽能發電領域，努力提升產品性能和質量，以更好的服務客戶。此外，富士電機將在深圳地區擴建IGBT工廠，靈活應對交貨期。

功率半導體作為電力能源的核心部件，富士電機的功率器件在火力發電向風電、太陽能等新能源發電轉型的過程中發揮了重要的作用。目前，富士電機提供第7代X系列和RC-IGBT，但未來還將開發第8代IGBT和SiC產品，并努力推進碳中和，以進一步提高性能。

富士電機早在2014年就推出了平面結構的全碳化硅模塊應用在本社電力電子部門研發的光伏逆變器（1MW)中。相比較于傳統的硅模塊，損耗可以降低7成左右，達到了當時的業界最高效率98.8%，獲得了市場的廣泛好評。2018年推出了基于第一代溝槽柵結構的全碳化硅模塊。開發中的第二代SiC-Mosfet，通過芯片減薄和溝槽間距微細化技術T單位面積的導通電阻比第一代降低了23%。另外模塊內部的端子結構也進行了重新設計，大大降低了模塊的寄生電感。模塊的封裝外形將繼續保持與傳統的硅模塊的封裝兼容避免客戶在系統結構上做重新設計，節省開發資源。預計將會在2023年進行量產，主要面向EV、風力發電、太陽能發電、高壓變頻器等各類高壓應用。

SiC模塊

保護地球環境，防止全球變暖，實現可持續發展社會（SDGs）已經是全世界的共識。中國政府也在2020年底提出了“2030年前實現碳達峰，2060年之前實現碳中和”的宏偉目標。要實現這些目標，電力電子技術的技術革新和應用領域的擴大是至關重要的。富士電機預計未來工業自動化領域的產業升級將會繼續深化進行，光伏和風力發電、電動汽車等新能源產業將會保持持續的高速增長。富士電機也將重點布局新能源領域，今后會進一步加大在中大容量模塊的投入。2022年，富士電機計劃在保持工業IGBT模塊的穩定增長之外，還將加強電動汽車IGBT模塊的生產和銷售。