身為全球知名的功率半導體提供商，富士電機在功率半導體芯片、封裝技術以及規模生產上一直走在行業的前沿。在近期深圳PCIMAsia2021電力電子展上，富士電機展示了面向可再生能源，電動汽車，變頻家電，軌道牽引，工業自動化等領域的，最新第七世代X-IGBT、RC-IGBT、SiC(全碳化硅/混合型)，并提供了覆蓋市場主流以及符合業界未來需求的:Dual-XT、STD、HPnC、Small-IPM等封裝。

RC-IGBT

SiC模塊

其中，第七代產品X系列IGBT和RC-IGBT成為本次富士電機展出的亮點：X系列IGBT連續最高工作結溫可達到175度，輸出電流最高可增加30%，并且比上一代產品體積更小，能夠幫助逆變器運行功耗降低10%，更好地讓整機設備節省能源和電力成本上發揮效應。

另外，作為X芯片的一個擴展：RC-IGBT；該器件將傳統IGBT芯片和FWD集成在單個芯片上，和之前產品相比，封裝面積減少25%、發熱減少33%，同時因芯片間發熱均勻而帶來了較高的穩定性，同封裝下能支持更高功率所需的輸出電流。

隨著市場對于功率器件小體積、大電流、高功率密度的追求越來越迫切，碳化硅成為了下一代功率器件的發展方向。目前，富士擁有全碳化硅功率器件，以及混合碳化硅器件產品，進一步滿足了用戶在新產品開發上的需求并且已經大批量使用于日本新干線。

缺芯問題的出現一方面是由于市場和環境的不確定性，導致了廠商的投資更加謹慎；另一方面是新能源電力、電動汽車等需求的井噴加劇了供應的短缺。針對這一問題，富士電機已計劃追加投資400億日元（3.65億美元）用于擴充功率半導體產能。

過去一年，富士電機在中國的市場表現高于預期，除了傳統工業自動化以外，在新能源電力，變頻家電，電動汽車方面也取得了較好的增長。目前IGBT存量市場主要集中在工業領域，例如工業自動化、電梯等，每年保持增幅在10%以內。

新能源是增長較快的一個市場，由于國家要達到節能減排和雙碳目標，新能源未來是一個增量市場，例如電動汽車、風力發電、光伏發電等，這些領域也將成為富士電機的一個重要發展方向。

富士電機會根據市場的整體容量和增長速度進行戰略調整，存量市場方面目前市場份額比較穩定，富士電機將努力保持既有的市場增速。另一方面，富士電機未來投資會著眼于在以電動汽車為首的包括新能源、電氣化等增量市場。

隨著本土廠商的快速發展，未來占據一定的市場份額是可以預見的，本土企業在獲取投資、成本管理、市場跟隨性、靈活性等有天然優勢。對此，富士電機采取了差異化競爭的戰略，在一些區別化/優勢產品上加大投入。

在十四五計劃和雙碳目標下，中國的功率半導體市場潛力與挑戰是巨大的，面對可再生能源領域需求不斷增長的趨勢，富士電機將會緊跟市場方向和政策，進行下一代產品的開發和投入，以滿足日益增長的市場需求。