近期，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱"東芝電子元件"）與山東天岳先進科技股份有限公司（以下簡稱"天岳先進"）就天岳先進開發制造的SiC功率半導體用襯底達成基本協議。 　　天岳先進表示，雙方將針對SiC功率半導體特性提升與品質改善的技術協作，以及運用合作成果擴大高品質穩定襯底供應的商業合作。今后雙方將就共同推進或相互協作的具體事項展開詳細磋商。 　　據悉，東芝電子元件以鐵路用SiC功率半導體的開發、制造及供應實績為基礎，正加速推進服務器電源用、車載用等SiC器件開發，未來將致力于進一步降低SiC功率半[登陸后可查看全文]