8月6日，根據九峰山實驗室官微消息，九峰山實驗室（JFS Laboratory）推出新型碳化硅溝槽MOSFET科研級器件樣品，旨在滿足產業及科研機構對具有完全自主知識產權的SiC溝槽新型器件的測試、分析及應用探索需求，進一步推動下一代碳化硅溝槽型MOSFET功率器件的產業發展。   圖片來源：九峰山實驗室   據介紹，此次推出的科研樣品分為兩種IP結構，一種是基于#九峰山實驗室 完全自主IP的SiC膠囊型溝槽MOSFET結構，結合優化設計的新型終端技術，提供高可靠性SiC Trench MOSFET。另一種是基于九峰山實驗室完全自主IP的SiC雙[登陸后可查看全文]