近年來，從節(jié)能和環(huán)保的觀點(diǎn)出發(fā)，業(yè)界對于可大幅降低功率損耗的SiC功率半導(dǎo)體的期待與日俱增。自2010年起，三菱電機(jī)就搭載了SiC-SBD※1或SiC-MOSFET※2的SiC功率半導(dǎo)體模塊。此次，三菱電機(jī)新開發(fā)功率半導(dǎo)體「SiC-MOSFET 1200V N-系列」，該系列產(chǎn)品具有低功率損耗和高抑制誤開通能力，有助于需要功率變換的高壓車載充電器和太陽能發(fā)電等各種電源系統(tǒng)低功耗化及小型化。該系列6個品種的樣品將于2020年7月開始提供。   SiC-MOSFET 1200V-N系列 新產(chǎn)品的特點(diǎn)： 1、搭載高性能SiC-MOSFET，有助于電源系統(tǒng)的低功耗化及小[登陸后可查看全文]