Unifull™ 3.3kV SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊
三菱電機集團近日（2024年6月10日）宣布，從6月10日起開始為包括鐵路和電力系統在內的大型工業設備提供低電流版本3.3kV/400A和3.3kV/200A肖特基勢壘二極管（SBD）嵌入式SiC-MOSFET模塊。與現有的3.3kV/800A模塊一起，新命名的Unifull™系列包含3款產品，以滿足大型工業設備對能夠提高功率輸出和功率轉換效率的逆變器日益增長的需求。該產品正在PCIM Europe 2024（6月11-13日，德國紐倫堡）上展出。
為實現脫碳社會，對能夠高效電力變換的功率半導體需求日益增長，尤其是能夠顯著降低功率損耗的SiC功率半導體。大型工業設備常用功率半導體模塊來實現功率變換，例如牽引驅動系統和電源、直流輸電等。對于能夠進一步提高功率轉換效率并支持不同輸出容量逆變器設計的高功率、高效率SiC模塊的需求尤為強烈。
三菱電機于2024年3月29日發布了3.3kV/800A SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊，采用優化的封裝結構，降低開關損耗并提升SiC性能。與現有的功率模塊相比，Unifull™模塊顯著降低了開關損耗，并有助于提高大型工業設備的功率輸出和效率，使其適用于容量相對較小的軌道車輛和驅動系統的輔助電源。
產 品 特 點
適用于不同輸出容量的低電流模塊
三菱電機的SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊新增3.3kV/400A和3.3kV/200A低電流版本的兩款產品，與現有3.3kV/800A構成了新的Unifull™系列。
新的低電流模塊，適用于鐵路車輛的輔助電源和相對小容量的驅動系統，適用不同功率要求的大型工業設備，并提高其逆變器功率轉換效率，擴大了應用范圍。
內置SBD的SiC-MOSFET，有助于實現逆變器的高輸出、高效率和可靠性
采用優化封裝結構的SBD嵌入式SiC-MOSFET，與三菱電機現有的全SiC功率模塊*相比，開關損耗降低了約54%，與公司現有的Si功率模塊**相比降低了91%，有助于提高功率輸出和效率。
采用雙極性模式激活（BMA）元胞結構，提高了抗浪涌電流能力，并有助于提高逆變器的可靠性。
*新型3.3kV/400A模塊（FMF400DC-66BEW）與現有全SiC功率模塊（FMF375DC-66A）；新型3.3kV/200A模塊（FMF200DC-66BE）與全SiC功率模塊（FMF185DC-66A）的比較
**新型3.3kV/400A模塊（FMF400DC-66BEW）與硅功率模塊（CM450DA-66X）的比較
主要規格
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型號 |
FMF400DC-66BEW |
FMF200DC-66BE |
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額定電壓 |
3.3kV |
3.3kV |
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額定電流 |
400A |
200A |
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絕緣電壓 |
6.0kVrms |
6.0kVrms |
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拓撲 |
2in1 |
2in1 |
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尺寸 （長×寬×高） |
100×140×40mm |
100×140×40mm |
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發布日期 |
2024年6月10日 |
2024年6月10日 |
Unifull™ SBD嵌入式
SiC-MOSFET模塊產品線
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型號 |
FMF800DC-66BEW |
FMF400DC-66BEW |
FMF200DC-66BE |
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額定電壓 |
3.3kV |
3.3kV |
3.3kV |
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額定電流 |
800A |
400A |
200A |
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絕緣電壓 |
6.0kVrms |
6.0kVrms |
6.0kVrms |
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發布日期 |
2024年3月29日 |
2024年6月10日 |
2024年6月10日 |
網站
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